霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。
該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或固體材料均可。
您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技"，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！
產品概述：
本儀器系統由：電磁鐵、高精度電源、高斯計、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾探頭、電纜、標準樣品、樣品安裝架、系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測量復雜的切矩陣開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。
您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技"，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！
技術指標：
* 磁 場：間距 10mm 情況下 10700 高斯，間距 20mm 情況下7000 高斯。
*樣品電流：50nA~50mA（*小可調節電流為 0.1nA）
*測量電壓：0.1uV~30V
* 提供各類測試標準材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）
**小分辨率： 1GS
*磁場范圍：0-±1T
*配合高斯計或數采板可與計算機通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm
*電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms
*載流子濃度：103~1023cm-3
*遷移率：0.1~108cm2/volt*sec
*測試全自動化，一鍵處理
*專業的歐姆接觸組合套件
自動化霍爾效應測試系統組成：
您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技"，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！
高精度度磁鐵電源:
※ 雙極性恒流輸出
① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續變化
② 電流可以平滑過零點，非開關換向
③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）
④ 電流變化速率可設置范圍為0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流）
※ 電流穩定度高，紋波低
①電流穩定度：優于±25ppm/h（標準型）；優 于±5ppm/h（高穩型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA
④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）
⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）
⑥ 電流紋波（RMS）：小于1mA
霍爾樣品架:
用于固定，焊接霍爾器件，四探針壓點使接觸更方便牢。高高精度高斯計：分辨力：0.01Gs，量程：0-±3T，精度：0.1% ，標準 232 數字接口與控制端口。
電壓電流數采儀：
恒流源量程：±50nA-±50mA，分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調，高 精 度 電 壓 數 采 儀 范 圍 0. 1uV-30V，精度：.01%內置測試矩陣轉換卡，
電磁鐵：
極頭直徑 50mm.NS間距10mm時*大磁場1.07T，間距 20mm 時*大磁場 0.7T，可實現在*大磁場范圍內連續，變化（可調）自重 30 公斤。
歐姆接觸套件 ：
專業做歐姆接觸用銦片以及相，應焊接套裝，材料標準樣片，硅片，砷化鎵 2 阻值：300-500 歐姆。
測試系統軟件：
定位采集，數字溫度顯示，I-V，曲線及 I-R 曲線測量，得到體載，流子濃度等各類參數曲線圖形。
可測試材料: ?
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
樣品測試：
設置控制電流、磁場和霍爾片厚度，點擊“開始測試"按鈕，軟件將完成一鍵測試過程，直至計算出所有霍爾參數。每次測試完后，可選擇保存該計算結果值，然后點擊“清除顯示"按鈕，以進入下一次測試。
若保持磁場大小不變，改變控制電流的大小，可通過畫圖操作觀察Is 與 VH的關系；若保持控制電流大小不變，改變磁場的大小，可通過畫圖觀察 B 與 VH 的關系。
